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IGBT模塊的基本參數(shù)術(shù)語(yǔ)定義

下面介紹IGBT模塊的基本參數(shù)術(shù)語(yǔ)定義。

1.電壓

·集電極-發(fā)射極阻斷電壓UCES:柵極和發(fā)射極短路時(shí),集電極和發(fā)射極之間的電壓。

這時(shí)集電極電流很小,通常等于lCES。

·集電極-發(fā)射極擊穿電壓U(BR)CES:柵極和發(fā)射極短路,當(dāng)集電極的電流大幅上升時(shí),集電極和發(fā)射極之間的電壓。

·集電極-發(fā)射極維持電壓UCES·sus。在特定的柵極-發(fā)射極控制下,集電極和發(fā)射極之間的電壓。這時(shí)集電極電流值非常高,對(duì)擊穿電壓相對(duì)不敏感。

·集電極-發(fā)射極飽和電壓UCESsat:在柵極和發(fā)射極之間加入一定的電壓,且集電極電流幾乎不受柵極-發(fā)射極電壓控制,這時(shí)在集電極和發(fā)射極之間的電壓。

·柵極-發(fā)射極之間的閾值電壓UCES(TO):集電極電流有一個(gè)較小的特定值時(shí),柵極和發(fā)射極之間的電壓。此時(shí)IGBT內(nèi)部MOSFET溝通開啟,允許一個(gè)很小的電流流過(guò)。

 

2. 電流

·集電極電流IC,IC,non:通常稱作集電極電流或集電極電流。在數(shù)據(jù)手冊(cè)中也用來(lái)表示最大連續(xù)集電極直流電流。

·重復(fù)峰值集電極電流ICRM:在時(shí)間t中(一般是1ms)最大的重復(fù)電流。很多廠商指定ICRM的值是IC,non的兩倍。

·柵極-發(fā)射極漏電流IGES:發(fā)射極和集電極短路,在指定的柵-射電壓下,流入柵極的漏電流。

·集電極-發(fā)射極漏(截止)電流lCES:在指定的集-射電壓下,通常取額定阻斷電壓UCES,流入集電極的漏電流。

·拖尾電流ICZ:IGBT關(guān)斷過(guò)程中,拖尾時(shí)間tZ內(nèi)的集電極電流。

 

3. 時(shí)間

·開通延時(shí)td(on)或者td:IGBT的柵極開啟電壓脈沖到集電極電流開始上升的時(shí)間間隔。通常以柵極電壓幅值的10%和集電極電流10%作為開通延時(shí)計(jì)算參考點(diǎn)。

·上升時(shí)間tr:通常指IGBT開通后,集電極電流從最大值的10%上升到90%的時(shí)間間隔。

·開通時(shí)間ton:td(on)和tr之和,如圖1所示。

 

·關(guān)斷延時(shí)td(off或ts:維持IGBT導(dǎo)通的柵極電壓脈沖的末端時(shí)刻到集電極電流開始下降的間隔。在這段時(shí)間內(nèi),IGBT進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)。一般情況下,以柵極電壓幅值的90%和集電極電流的90%作為關(guān)斷延時(shí)計(jì)算的參考點(diǎn)。

·下降時(shí)間tf:一般指集電極電流從最大值的90%下降到10%的時(shí)間。如果集電極電流90%的值到10%的值不是一條直線,則做一條下降電流曲線的切線,在切線上讀取集電極電流的10%。

·關(guān)斷時(shí)間toff:td(off)和tf之和,如圖2所示。

·拖尾時(shí)間tz:關(guān)斷時(shí)間toff的末端到集電極電流下降到其最大值2%時(shí)的時(shí)間間隔。

 

4. 溫度

·等效結(jié)溫Tvj:功率半導(dǎo)體的PN結(jié)溫度。雖然半導(dǎo)體的結(jié)溫?zé)o法直接測(cè)量,但是可以通過(guò)間接的測(cè)量手段獲得結(jié)溫,通常用等效結(jié)溫表示。對(duì)于IGBT來(lái)說(shuō),結(jié)溫Tvj并不是指某個(gè)特定PN結(jié)的溫度,也不是PN結(jié)中某一特定區(qū)域的溫度。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),結(jié)溫描述了半導(dǎo)體內(nèi)溫度的空間分布。由于工作條件不同,不同部位的溫度梯度各不相同。有些部位的電壓和電流的乘積最大,換句話說(shuō)耗散功率最大。圖3給出了IGBT內(nèi)典型的等效電阻,這些電阻導(dǎo)致功率損耗。這也表明,損耗不僅僅只發(fā)生在PN結(jié)處。當(dāng)IGBT處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),Rj1是導(dǎo)致主要損耗的電阻。

·最大結(jié)溫Tvj,max:半導(dǎo)體器件通過(guò)直流電流時(shí)所允許的最大結(jié)溫。該溫度幾乎與實(shí)際應(yīng)用散熱設(shè)計(jì)無(wú)關(guān)。

·工作結(jié)溫Tvj,op:半導(dǎo)體器件處于開關(guān)工作狀態(tài)時(shí)的溫度范圍,用于散熱設(shè)計(jì)和壽命計(jì)算。

  

5. 能量

·開通能量Eon:?jiǎn)蝹€(gè)集電極電流脈沖開通時(shí)IGBT產(chǎn)生的能耗。定義Eon的時(shí)間跨度為tEon,如圖4所示,它從IC上升到正常值的10%開始,UCE下降到正常值的2%時(shí)結(jié)束。Eon可由下式定義:

計(jì)算公式1    (1)

在實(shí)際操作中,可用一個(gè)數(shù)字示波器來(lái)測(cè)定Eon,示波器可以跟蹤并記錄UCE(t)和iC(t)的數(shù)值,然后利用上述數(shù)學(xué)公式對(duì)兩者的乘積進(jìn)行積分,積分結(jié)果的最大值就是開通能量Eon。另外,可以把數(shù)據(jù)導(dǎo)入計(jì)算機(jī),然后再進(jìn)行數(shù)學(xué)分析


·關(guān)斷能量Eoff:?jiǎn)蝹€(gè)集電極電流脈沖關(guān)斷時(shí)IGBT產(chǎn)生的能耗。定義Eoff的時(shí)間跨度為tEoff,如圖5所示,它從UCE上升到正常值的10%開始,IC下降到正常值的2%時(shí)結(jié)束。Eoff可以由下式定義:

計(jì)算公式2    (2)

在實(shí)際操作中,Eoff可由數(shù)字示波器測(cè)定。示波器可以跟蹤并記錄uCE(1)和iC(t),然后利用上述公式對(duì)兩者的乘積進(jìn)行積分。積分結(jié)果的最大值就是關(guān)斷能量Eoff。另外,可以把數(shù)據(jù)導(dǎo)入計(jì)算機(jī),然后再進(jìn)行數(shù)學(xué)分析。

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